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高低压变频装置

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韩SK Group收购该国SiC功率半导体公司Yes Power Technix多数股权

据韩国公司集团 SK Group近日公告,该集团通过其投资公司 SK Inc.收购了该国SiC功率半导体公司Yes Power Technix的多数股权。 SK去

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  据韩国公司集团 SK Group近日公告,该集团通过其投资公司 SK Inc.收购了该国SiC功率半导体公司Yes Power Technix的多数股权。

  SK去年1月曾出资268亿韩元获得Yes Power Technics 33.6%的股权,支持公司SiC功率半导体业务竞争力的发展;包括产品研究开发、流程升级和客户获取等领域。

  展望未来,SK Inc.表示,计划通过提高技术竞争力和进一步的设施投资,持续进行研发投资,将 YES Power Technics 打造为全球 SiC 功率半导体公司。

  宽禁带(第三代)半导体已被广泛认可为提高电源功率密度和效率的重要方法之一,传统MOSFET真的就没有发展空间了么?是不是所有新设计都需要转向GaN或SiC?Vicor公司全球销售及市场营销业务副总裁Phil Davies在IEEE Power Electronics撰文,解释了Vicor是如何通过改善拓扑结构,实现硅(Si) MOSFET的不停地改进革新,并解答了关于Vicor何时会采用宽禁带半导体。 以下是文章详情: 1984 年,我有幸与尊敬的 Rudy Severns 一起环游了欧洲,为 Siliconix 传授新技术。我是一名年轻的应用工程师,当时的新技术是硅功率 MOSFET。工程师那时在他们的开关电源中使用双极晶体管

  2022 年 9 月 13日,中国—— 意法半导体发布了两款采用主流配置的内置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER电源模块。 两款模块都采用意法半导体的ACEPACK 2 封装技术,功率密度高,安装简易便捷。 第一款模块 A2F12M12W2-F1 是一个四组模块,可为 DC/DC 转换器等电路提供方便紧凑的全桥功率变换解决方案。 第二款模块 A2U12M12W2-F2 采用三电平T型逆变拓扑,导通能效和开关能效均很出色,输出电压质量稳定。 这两款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术,RDS(on) x 芯片面积品质因数很出色,确保开关能处理高电流,把功率损耗降至很低。

  逆变器设计 /

  功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定,能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中一定要使用PFC的附加驱动因素。 主动PFC有两种通用模式:使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式通常用于输出功率在75W到300W之间的应用;CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时,PFC具有成本效益,因为其它方面(比如效率)得到了

  最近,采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。此次邀请了安川电机,针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功率调节器,介绍有关技术和取得的效果。 AC-AC转换器尤其需要薄型化 以上介绍了SiC和GaN功率元件的应用背景。下面介绍一下开篇提到的采用SiC功率元件的AC-AC转换器,以及采用GaN功率元件的功率调节器的详情。 输出功率为45kW的薄型化AC-AC转换器,其外观尺寸为进深358mm×宽282mm×厚29mm(图1)。输出电力密度较大,约为15kW/L.     图1:采用SiC功率元件缩小外观尺寸 AC-AC转换器的外观尺寸只有358mm×282mm×29mm(a)。电路主要

  和GaN实现AC-AC转换器薄型化 /

  Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器,助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案 基于PLECS的工具可在将设计实现为硬件之前,快速评估针对各种电源开关拓扑结构的 解决方案 电气化正在推动SiC半导体的增长,由于其具备快速开关能力、更低的功率损耗和更高的温度性能,电动汽车、可持续发展和工业等大型细分市场都转向SiC电源解决方案。为帮助电源设计工程师轻松、快速和放心地过渡到SiC电源解决方案,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出MPLAB® SiC电源模拟器,可在将设计实现为硬件之前,快速评估各种拓扑结构中的Microchip SiC电源器件和模块。

  电源解决方案 /

  据外媒报道,美国卡尔玛汽车公司(Karma Automotive)表示,其两款新型碳化硅(SiC)逆变器的研发已确定进入最后阶段,而且该两款产品都能够提升 电动汽车 的充电能力。Karma总部在美国南加州,是一家高科技企业孵化器兼豪华电动汽车制造商。 (图片来自:Karma Automotive) 新款SiC牵引逆变器由Karma动力传动系统电力电子团队与美国阿肯色大学(University of Arkansas)电力电子系统实验室(PESLA)合作设计。该款SiC牵引逆变器的设计旨在提高 电动汽车 的效率和性能,将用于Karma未来车型以及合作伙伴的车辆中。此外,该逆变器可用于400V系统,且结构设计灵活,能够经过定

  逆变器 可极大的提升电动汽车充电能力 /

  中国,北京 – 2018年3月21日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。 Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示,“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。Qorvo推

  晶体管 /

  2009年2月18日,率先推出碳化硅(SiC)肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司,近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!™  SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升总系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。此外,英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列,不仅包括TO-220封装(真正的双管脚版本)产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。         SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源(SMPS)的有源功率因数校正(CC

  半导体材料与器件 PDF高清电子版

  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

  直播回放: ONSEMI 适用于光储充的SiC及IGBT隔离栅极驱动器方案

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