在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的重要的条件。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准，引领着电力电子领域的发展。

  与传统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上，逐渐增强了其在各种应用中的性能表现。这些优势使得G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电以及UPS等多种运行模式下都能实现较低的功率损耗，为现场处理的每瓦特节能提供了强有力的支持。

  值得一提的是，英飞凌独特的.XT互连技术也在其中发挥了及其重要的作用。该技术有助于在保持热性能的同时提高半导体芯片的性能，从而克服了该领域的常见挑战。新一代产品的热性能提高了12%，将芯片的品质因数提升到了SiC性能的新水平。此外，CoolSiC G2 MOSFET产品组合还实现了SiC MOSFET市场中最低的导通电阻（Rdson），进一步提升了能效和功率密度，并减少了零件数量。

  除了卓越的性能表现，CoolSiC MOSFET G2还提升了可靠性，以确保在长期现场运行中达到最佳性能。其中，1200V产品组合可在150℃可靠运行，并具有高达200°C虚拟结温的过载操作能力，使得系统模块设计人员能够更灵活地应对电网波动等挑战，同时减少冷却工作并简化系统设计。

  英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET G2技术的推出，开启了电力系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率，进一步促进了脱碳，而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的用户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时在不影响外观尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器能更加进一步增加电动汽车的续航能力。在可再次生产的能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸，以此来降低每瓦成本。

  英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”

  英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术，逐渐增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率技术，提供设计灵活性和领先的应用专业相关知识，满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。

  关键字：引用地址：英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准

  英飞凌科技股份公司近日推出其适用于汽车机器对机器（M2M）系统的全新SLI 76系列“车载”微控制器。它们是业界首批通过汽车电子委员会（AEC）Q100品质衡量准则严格认证的UICC（通用集成电路卡）微控制器。SLI 76“车载”芯片具备更长的常规使用的寿命、更高的数据存储容量、更宽的温度范围、更大的负载周期数等特性。 SLI 76器件可使汽车部件供应商轻松满足整车制造商对于实现各种先进的车载服务——例如紧急呼叫（e-Call）、遥控车锁、车队管理和车辆跟踪——的质量发展要求。为满足AEC Q100标准，英飞凌采用十分可靠的工艺制造SLI 76器件，并根据生产件批准程序（PPAP）的要求，提供组件的相关文档。 市场研究机构估计，今后5年之内将有

  模拟机器学习IC专家Aspinity正在与英飞凌合作，将Aspinity的可重构模拟模块化处理（RAMP）技术与英飞凌的XENSIVTM传感器系列结合在一起。 Aspinity的RAMP芯片是一种模拟机器学习芯片，可以分析原始的，非结构化的模拟传感器数据，以确定哪些数据在信号链开始时很重要，从而为系统模块设计引入了一种架构方法，可以在终端设备中节省大量功耗。 RAMP芯片的功能类似于智能网关，其功能是分析来自英飞凌XENSIVTM MEMS传感器的模拟数据，以确定相关的内容。 RAMP芯片会触发ADC和下游DSP或MCU使其仅对有关数据执行复杂的分析，从而消除了其他系统的典型效率低下的现象，这些系统浪费了将所有数据（无论是

  【2023 年 8 月 1 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司和位于德国北莱茵威斯特法伦州锡根市的量子计算（QC）先驱公司eleQtron GmbH于近日共同宣布，双方将联合开发用于可扩展量子计算机的离子阱量子处理器（QPU） 。这是英飞凌与离子阱领域关键参与者的第二次合作，同时也是德国量子计算生态圈的首次商业活动。它强调了英飞凌在提供可预测、可重复且可靠的业内领先离子阱量子处理器方面处于领头羊。 英飞凌科技高级副总裁兼电源系统总经理Richard Kuncic 表示：“作为开发量子计算硬件的领先公司，英飞凌的目标是提供核心部件并与合作伙伴一起推动实现首个基于离子阱技术的有意义的量子计算系统。我们为实现量子实用性

  与eleQtron携手打造三代离子阱量子处理器 /

  该工厂将在未来两年内将其碳化硅 (SiC)晶圆产能提高16倍， 以满足急剧增长的微芯片需求 2022年9月22日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi)，庆祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化硅 (以下简称“SiC”) 工厂的落成 。以工业和贸易部科长Zbyněk Pokorný、兹林州州长Radim Holiš和市长Jiří Pavlica以及当地其他政府要员为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式，表明这一事件与半导体制造在捷克共和国的重要性。 从2019年开始，安森美在其位于Roznov的现有硅抛光和外延晶圆及芯片生产的基础上，增加了SiC抛光晶圆和SiC外延 (以下简称“EPI”) 晶圆生产。由于原来的场

  工厂 /

  英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 （Power33™）封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。 兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业方面技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。 英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示：“我们的客户将从功率产品封装标准化中获益，因为我们减少了市场上‘独特’封装的数量，同时还能提供比上代产品外形更小但性能提升的解决方案。” 飞兆半导体低压

  英飞凌科技宣布，英飞凌大中华区智能应用能力中心在深圳真正开始启动。该能力中心将为华南乃至整个大中华区的客户提供定制化的半导体应用系统解决方案，助力本土客户加速智能应用创新及应用场景的落地。 新智能应用能力中心将聚焦工业级智能设备、智能家居、智能汽车和物联网等应用领域，基于多个开发测试平台，充分挖掘如何利用各类功率器件提升工业设施的运行效率、降低空调等家电的能耗、提高新能源汽车的续航能力；探索如何利用传感器让家电变得更智能、让汽车行驶更安全，以及怎么来实现更高水平的无人驾驶；同时积极开发基于硬件的安全应用解决方案，为物联网安全保驾护航等。 此外，该能力中心还设立了一个可提供EMI（电磁干扰）、静电（ESD）及雷击浪涌（Su

  智能应用能力中心启动 /

  摘要：Yole预计，全球SiC功率半导体市场将从2017年的3.02亿美元，快速成长至2023年的13.99亿美元，年复合成长率达29%。为实现用户对高性能功率半导体器件日渐增长的需求，X-FAB计划将6英寸SiC工艺产能提高一倍。 集微网消息（文/乐川）随着提高效率成为众需求中的重中之重，并且能源成本也在持续不断的增加，以前被认为是奇特且昂贵的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等技术，现已变得更具性价比。此外，随市场的增长，由于规模经济的关系，SiC或GaN晶体管和二极管在经济上也慢慢变得具有吸引力。 功率半导体（如二极管和MOSFET）能够最终靠几种机制显著节省能源。与传统的硅器件相比，SiC二极管能轻松实现短得多的反向恢复时间，从而实

  据BusinessKorea报道，韩国半导体晶圆制造商SK Siltron于9月10日宣布，该公司董事会已批准以4.5亿美元收购美国杜邦的碳化硅晶圆业务的计划。 同时SK Siltron计划，在得到国内外有关部门批准后，能在今年晚些时候完成此项收购。 报道指出，由于全世界汽车制造商正在扩大电动汽车生产规模，导致对碳化硅晶圆的需求急剧上升。然而由于只有少数制造商能够批量生产该种材料，所以当下全世界内的碳化硅晶圆供不应求。 目前，该市场主要由美国和日本制造商主导。对此有专家这样认为， SK Siltron从杜邦手中收购SiC晶圆业务，将有利于该公司扩大市场占有率。 2017年，SK集团宣布正式收购生产半导体用基板的Siltron（LG

  针对电池供电中低压大电流驱动方案

  Understanding and overcoming the challenges of building high voltage automotive battery management

  high voltage Inverter Application Presentation

  high voltage Inverter Application Presentation

  直播回放: 基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET，有效提升功率密度，肉眼可见

  直播回放: 贝能国际推出基于英飞凌技术的毫米波雷达模组，完美解决PIR市场痛点

  HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性

  报名赢【养生壶、鼠标】等｜STM32 Summit全球在线大会邀您一起解读STM32方案

  有奖征文：邀一线汽车VCU/MCU开发工程师，分享开发经验、难题、成长之路等

  MPS电机研究院 让电机更听话的秘密！ 第一站：电机应用知识大考！第三期考题上线，跟帖赢好礼~

  英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准

  在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的重要的条件。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞凌科 ...

  e络盟现货供应采用最新双层技术的超高速超级电容器中国上海，2024年3月7日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售Ab ...

  ENNOVI推出ENNOVI-CellConnect-Prism，彻底颠覆电池技术

  支持实现方形电芯之间的稳固连接，灵活运用于CTM、CTP和CTC等先进的动力电池系统，简化装配流程，并降低材料成本。新加坡（2024年3月7日） ...

  ～静态电流仅160nA，有助于消费电子和工业设施应用更加省电～全球知名半导体制造商ROHM（总部在日本京都市）开发出静态电流超低的线性运 ...

  意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效

  有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流 直流适配器操作，节省电能2024 年 3 月 7 日，中国意法半导体 SRK1004 同步整流控 ...

  美国 ION 公司固态电池新突破：超 125 次循环，容量衰减低于 5%

  德州仪器全新产品系列不断突破电源设计极限， 助力工程师实现卓越的功率密度

  AVR单片机中断实现 ATmega16 INT ISR(INT0_vect)

  贸泽电子开售支持图像处理和边缘AI加速的Advantech VEGA-P110 PCIe Intel Arc A370M嵌入式GPU卡

  下载有礼：看“智””造“热”侦探 FLIR ETS320 红外热像仪如何纠错！

  TE Connectivity利用传感和连接解决方案，赋能电动汽车发展 参与有好礼！

  站点相关：分立器件转换器稳压稳流数字电源驱动电源模块电池管理其他技术宽禁带半导体LED网络通信消费电子电源设计测试与保护逆变器控制器变压器电源百科电源习题与教程